Анализ отказа интегральной микросхемы (ИМС) с использованием микроскопа с фокусированным ионным пучком

Abstract

В современном мире повсеместно применяются электронные устройства, основой которых являются ИМС различной степени сложности. При производстве ИМС проводится постоянный контроль качества её структуры на различных этапах формирования, так как соответствие параметров элементной базы ИМС конструкторской и технологической документации является крайне важным фактором. В случае отклонения параметров ИМС от требуемых значений проводится корректировка технологического процесса изготовления для получения планового процента выхода годных кристаллов.