DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Нгуен, Т. Д. | - |
dc.contributor.author | Занько, А. И. | - |
dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
dc.contributor.author | Мельников, С. Н. | - |
dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
dc.contributor.author | То, Т. К. | - |
dc.date.accessioned | 2021-11-24T11:25:02Z | - |
dc.date.available | 2021-11-24T11:25:02Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Нгуен, Т. Д. Структурно-фазовые характеристики пленок оксида ванадия / Т. Д. Нгуен [и др.] // Вестник ГГТУ им. П. О. Сухого. – 2021. – № 1. – С. 33–41. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46000 | - |
dc.description.abstract | Проведены исследования влияния параметров процесса нанесения и последующего отжига на структуру и фазовый состав пленок оксида ванадия (VOx ). Пленки VOx наносились методом импульсного реактивного магнетронного распыления V мишени в Ar/O2 смеси газов и подвергались отжигу в атмосфере O2 при давлении 10 5 Па. Температура отжига изменялась от 100 до 450 °С. Время отжига варьировалось от 10 до 120 мин. Установлено, что при отжиге начальные процессы кристаллизации наблюдаются при температурах 250–275 °С. При этом, в зависимости от концентрации кислорода в процессе распыления, формируются поликристаллические пленки кубической или смешанной моноклинной/кубической кристаллической решеткой. При увеличении температуры отжига происходит переход от промежуточного оксида V 4 O 9 к смешанной фазе VO 2 /VO x /V 2 O 5 и далее к высшему оксиду V 2 O 5 . При увеличении времени отжига формирование высшего оксида V 2 O 5 наблюдается при более низких температурах и его концентрация увеличивается. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | оксид ванадия | ru_RU |
dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
dc.subject | реактивное магнетронное распыление | ru_RU |
dc.subject | кристаллизационный отжиг | ru_RU |
dc.subject | vanadium oxide | ru_RU |
dc.subject | thin films | ru_RU |
dc.subject | reactive magnetron sputtering | ru_RU |
dc.subject | crystallization annealing | ru_RU |
dc.title | Структурно-фазовые характеристики пленок оксида ванадия | ru_RU |
dc.title.alternative | Structural and phase characteristics of vanadium oxide films | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
local.description.annotation | The article The influence of the parameters of the deposition and subsequent annealing on the structure and phase composition of vanadium oxide (VO x ) films has been studied. VO x films were deposited by pulsed reactive magnetron sputtering of a V target in an Ar/O 2 gas mixture and annealed in an O 2 atmosphere at a pressure of 105 Pa. The temperature of the annealing varied from 100 to 450 °C. The time of the annealing varied from 10 to 120 min. It was found that during annealing, the initial crystallization processes are observed at temperatures of 250–275 °C. In this case, depending on the oxygen concentration during sputtering, polycrystalline films of a cubic or mixed monoclinic (cubic) crystal lattice are formed. As the temperature of the annealing rises, a transition occurs from the intermediate oxide V 4 O 9 to the mixed phase VO 2 /VO x /V 2 O 5 and then to the higher oxide V 2 O 5. With an increase in the annealing time, the formation of the higher oxide V 2 O 5 is observed at lower temperatures and its concentration increases. | - |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|