| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ефименко, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Кособуцкая, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Efimenko, S. A. | - |
| dc.contributor.author | Kosobutskaya, N. V. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-11-25T06:25:39Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-25T06:25:39Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Ефименко, С. А. Модернизация метода тестирования мощной интегральной микросхемы или полупроводникового прибора в диапазоне температур / Ефименко С. А., Кособуцкая Н. В. // Приборостроение – 2021 : материалы 14-й международной научно-технической конференции, Минск, 17–19 ноября 2021 г. / Белорусский национальный технический университет. – Минск, 2021. – 2 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46005 | - |
| dc.description.abstract | Тестирование - это измерение электрических параметров микросхем и полупроводниковых приборов и проведение функционального контроля микросхем. Поскольку мощные микросхемы и полупроводниковые приборы являются тепловыделяющими, их тестирование должно проводиться с
учетом перегрева кристалла. В работе рассмотрены возможные способы их тестирования, в том числе
учитывающие перегрев кристалла. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Белорусский национальный технический университет | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | тестирование | ru_RU |
| dc.subject | semiconductor devices | ru_RU |
| dc.subject | microcircuits | ru_RU |
| dc.subject | testing | ru_RU |
| dc.title | Модернизация метода тестирования мощной интегральной микросхемы или полупроводникового прибора в диапазоне температур | ru_RU |
| dc.title.alternative | Features of testing a powerful integrated circuit or semiconductor device in the temperature range | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Testing is the measurement of electrical parameters of microcircuits and semiconductor devices and carrying out functional control of microcircuits. Since high-power chips and semiconductor devices are heatgenerating, their testing should be carried out taking into account the overheating of the crystal. The paper considers possible ways of testing them, including taking into account the overheating of the crystal. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
