Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46010
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorФам, В. Т.-
dc.contributor.authorЛанин, В. Л.-
dc.date.accessioned2021-11-26T07:17:27Z-
dc.date.available2021-11-26T07:17:27Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationФам, В. Т. Моделирование процесса формирования микровыводов припоя импульсным лазерным излучением / Фам В. Т., Ланин В. Л. // Современные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : сборник научных трудов 16-й Международной молодежной научно-технической конференции, Севастополь, 12–16 октября 2020 г. / Севастопольский государственный университет. – 2020. – № 3. – С. 151.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46010-
dc.description.abstractПолучена зависимость температуры в тепловой зоне шарика припоя от количества импульсов лазера в пакете SolidWorks Flow Simulations. Использование лазерного излучения на второй гармонике (SH, 532 нм) дает возможность сокращения времени обработки, что связано с изменением коэффициента отражения металлов, который определяет эффективность поглощения лазерного излучения в металлах.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherСевастопольский государственный университетru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectлазерное излучениеru_RU
dc.subjectшарики припояru_RU
dc.subjectмикросваркаru_RU
dc.titleМоделирование процесса формирования микровыводов припоя импульсным лазерным излучениемru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fam_Modelirovanie.pdf340.44 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.