Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46235
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.-
dc.contributor.authorГайдук, П. И.-
dc.date.accessioned2021-12-08T13:56:43Z-
dc.date.available2021-12-08T13:56:43Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationПилипенко, В. А. Формирование силицида никеля быстрой термообработкой в режиме теплового баланса / В. А. Пилипенко, Я. А. Соловьёв, П. И. Гайдук // Доклады Национальной академии наук Беларуси. – 2021. – Т. 65, № 1. – С. 111–118. – DOI : https://doi.org/10.29235/1561-8323-2021-65-1-111-118.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46235-
dc.description.abstractМетодами резерфордовского обратного рассеяния, рентгеновского фазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии и электрофизическими измерениями исследовано формирование слоев силицида никеля на пластинах (111)-Si при быстрой термической обработке в режиме теплового баланса. Слои никеля толщиной ~70 нм наносили магнетронным распылением при комнатной температуре. Быструю термообработку проводили в режиме теплового баланса путем облучения обратной стороны подложек некогерентным световым потоком кварцевых галогенных ламп в среде азота в течение 7 с до температуры от 200 до 550 °С. Установлено, что перераспределение атомов никеля и кремния до состава моносилицида NiSi начинается уже при температуре 300 °С и к температуре 400 °С практически завершается. В этом же диапазоне температур происходит формирование орторомбической фазы NiSi со средним размером зерен около 0,05–0,1 мкм. При температуре быстрой термообработки 300 °C происходит формирование двух силицидных фаз (Ni 2 Si и NiSi), при этом на поверхности сохраняется тонкий слой непрореагировавшего Ni. Данный факт может объясняться высокой скоростью разогрева на начальной стадии отжига, при которой температурные условия формирования фазы NiSi наступают раньше, чем весь слой Ni успевает превратиться в фазу Ni 2 Si. Слои с одновременным присутствием трех фаз характеризуются высокой шероховатостью границы раздела силицид–кремний. Зависимость удельного сопротивления слоев силицидов никеля демонстрирует рост до значений 26–30 мкОм · см в области температур быстрой термообработки 200–250 °С и последующее снижение до значений 15 мкОм · см при температуре быстрой термообработки 400 °С. Данная величина удельного сопротивления характерна для фазы NiSi с высокой проводимостью и хорошо коррелирует с результатами структурных исследований.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональная академия наук Беларусиru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectбыстрая термическая обработкаru_RU
dc.subjectсилицид никеляru_RU
dc.subjectструктурно-фазовые превращенияru_RU
dc.subjectrapid thermal treatmentru_RU
dc.subjectnickel silicideru_RU
dc.subjectstructural and phase transformationru_RU
dc.titleФормирование силицида никеля быстрой термообработкой в режиме теплового балансаru_RU
dc.title.alternativeNickel silicide formation with rapid thermal treatment in the heat balance moderu_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe formation of nickel silicide layers on (111)-Si substrates during rapid thermal annealing in the heat balance mode was studied by the Rutherford backscattering method, X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and electrophysical measurements. Nickel films of about 70 nm thickness were deposited by magnetron sputtering at room temperature. The rapid thermal treatment was carried out in a heat balance mode by irradiating the substrates backside with a non-coherent light flux of quartz halogen lamps in the nitrogen medium for 7 seconds up to the temperature range of 200 to 550 °C. The redistribution of nickel and silicon atoms to monosilicide NiSi composition starts already at a temperature of 300 °С and almost ends at a temperature of 400 °С. In the same temperature range, the orthorhombic NiSi phase with an average grain size of about 0.05–0.1 μm is formed. At a rapid thermal treatment temperature of 300 °C, two phases of silicides (Ni2 Si and NiSi) are formed, while a thin layer of unreacted Ni is retained on the surface. This fact can be explained by the high heating rate at the initial annealing stage, at which the temperature conditions of the NiSi phase formation occur earlier than the entire Ni layer manages to turn into the Ni 2 Si phase. The layers with a simultaneous presence of three phases are characterized by a high roughness of the silicide-silicon interface. The dependence of the specific resistiv ity of nickel silicide layers shows an increase to the values of 26–30 μOhm · cm in the range of rapid thermal treatment temperatures of 200–250 °C and a subsequent decrease to the values of about 15 μOhm ·cm at a rapid thermal treatment temperature of 400 °C. This value of specific resistivity is characteristic of the high conductivity of the NiSi phase and correlates well with the results of structure studies.-
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pilipenko_Formirovanie.pdf699.21 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.