| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.contributor.author | Krivosheeva, A. V. | - |
| dc.contributor.author | Shaposhnikov, V. L. | - |
| dc.contributor.author | Borisenko, V. E. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-01-04T08:41:37Z | - |
| dc.date.available | 2022-01-04T08:41:37Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко // Доклады Национальной академии наук Беларуси. – 2021. – Т. 65, № 1. – С. 40–45. – DOI : https://doi.org/10.29235/1561-8323-2021-65-1-40-45. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46535 | - |
| dc.description.abstract | Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Издательский дом «Белорусская наука» | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | дисульфид молибдена | ru_RU |
| dc.subject | монослои | ru_RU |
| dc.subject | зонная структура | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.subject | molybdenum disulfide | ru_RU |
| dc.subject | monolayers | ru_RU |
| dc.subject | band structure | ru_RU |
| dc.subject | band gap | ru_RU |
| dc.title | Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The possibilities and conditions for modifying the band gap and the behavior of interband transitions under compressive and tensile strains in the crystal lattice of a molybdenum disulfide monolayer have been determined by theoretical modeling. It is shown that depending on the value and direction of the strains the compound may be a direct-gap or indirect-gap semiconductor, and the conditions for such transformations are determined. The results demonstrate a potential use of the molybdenum disulfide monolayer in nanoelectronic devices of new generation in which controlled transport of charge carriers is possible. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
