| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ермак, В. О. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-26T07:30:56Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-26T07:30:56Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Ермак, В. О. Влияние подзатворного диэлектрика на характеристики полевых транзисторов на графене / Ермак В. О. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 60–61. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48199 | - |
| dc.description.abstract | В последние десятилетия научный и практический интерес переходит от 3D материалов к 2D материалам, от твердотельной электроники к гибкой электронике. Графен находится в центре постоянно расширяющейся области исследований. Оптические, электрические и механические свойства графена идеально подходят для создания микрои наномеханических систем, прозрачных и проводящих электродов и фотоники. Графен по сравнению с известными полупроводниковыми материалами обладает рядом уникальных свойств, что позволяет на его основе создавать перспективные приборные структуры наноэлектроники. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | наноэлектроника | ru_RU |
| dc.subject | твердотельная электроника | ru_RU |
| dc.subject | полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | графены | ru_RU |
| dc.title | Влияние подзатворного диэлектрика на характеристики полевых транзисторов на графене | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|
