| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Холяво, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-26T12:29:04Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-26T12:29:04Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Холяво, И. И. Фононная теплопроводность нанопроволок Si/Ge / Холяво И. И., Хомец А. Л. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 42–44. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48206 | - |
| dc.description.abstract | В работе проведено исследование влияния морфологии теплопроводность нанопроволок Si/Ge типа ядро/оболочка с <100>, <110>, <112> и <111> кристаллографическими ориентациями и диаметром около 5 нм. Обнаружено, что для <112>- ориентированных нанопроволок Si-ядро/Ge-оболочка при объемной доле ядра ~24 % теплопроводность является наименьшей (5,4 Вт/(м∙К)), в то время как значения теплопроводности для нанопроволок из чистого Si и Ge составляют 13,5 и 7,4 Вт/(м∙К), соответственно. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | нанопроволока | ru_RU |
| dc.subject | теплопроводность | ru_RU |
| dc.subject | фононы | ru_RU |
| dc.title | Фононная теплопроводность нанопроволок Si/Ge | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|
