| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Холяво, И. И. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-26T12:36:43Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-26T12:36:43Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Хомец, А. Л. Роль поверхности и границ раздела в продольной фононной теплопроводности слоистых пленок Si и Ge / Хомец А. Л., Холяво И. И. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 40–42. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48207 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе представлены результаты исследования фононной теплопроводности для тонких слоистых пленок Si/Ge с (100), (110) и (111) кристаллографическими ориентациями. Было установлено, что при продольном тепловом транспорте вдоль направления [110] имеет место существенное фонон поверхностное рассеяние для тонкопленочных структур с (100) ориентацией и незначительное для (110) и (111) ориентаций. Также, дополнительным фактором снижения теплопроводности является создание свободной поверхности из одного материала. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | фононная теплопроводность | ru_RU |
| dc.subject | фононы | ru_RU |
| dc.subject | теплопроводность | ru_RU |
| dc.subject | решетчатая теплопроводность | ru_RU |
| dc.title | Роль поверхности и границ раздела в продольной фононной теплопроводности слоистых пленок Si и Ge | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|
