Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48210
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКратович, П. С.-
dc.contributor.authorТернов, Р. Е.-
dc.coverage.spatialМинск-
dc.date.accessioned2022-09-26T13:44:54Z-
dc.date.available2022-09-26T13:44:54Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationКратович, П. С. Арсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный транзистор / Кратович П. С., Тернов Р. Е. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 32.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48210-
dc.description.abstractПредставлены результаты моделирования электрических характеристик приборной структуры гетеропереходного биполярного транзистора на основе GaAs.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectбиполярные транзисторыru_RU
dc.subjectтранзисторыru_RU
dc.subjectсиловая электроникаru_RU
dc.titleАрсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный транзисторru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kratovich_Arsenid_galliyevyy.pdf454.68 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.