| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мельникова, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Подрябинкин, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-10-03T08:38:20Z | - |
| dc.date.available | 2022-10-03T08:38:20Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Мельникова, В. В. Электростатика графеновой транзисторной структуры / Мельникова В. В., Подрябинкин Д. А., Данилюк А. Л. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХX Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 7 июня 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2022. – С. 71. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48327 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены особенности спин-орбитального
взаимодействия, индуцированного тяжелыми атомами в графене, которые
обусловливают спин-зависимые процессы переноса в графеновой транзисторной
структуре, определяющие функционирование спинового транзистора. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | графены | ru_RU |
| dc.subject | графеновая электроника | ru_RU |
| dc.title | Электростатика графеновой транзисторной структуры | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2022
|
