Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48331
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛанин, В. Л.-
dc.contributor.authorВидрицкий, А. Э.-
dc.coverage.spatialМинск-
dc.date.accessioned2022-10-03T11:03:25Z-
dc.date.available2022-10-03T11:03:25Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationЛанин, В. Л. Моделирование теплового сопротивления кристалл–подложка при монтаже интегральных схем = Thermal resistance simulation crystal-substrate for mounting integrated circuits / В. Л. Ланин, А. Э. Видрицкий // BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня : VIII Международная научно-практическая конференция : сборник материалов VIII Международной научно-практической конференции, Минск, 11–12 мая 2022 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск, 2022. – С. 139–143.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48331-
dc.description.abstractМонтаж кристаллов в корпуса интегральных схем должен обеспечить высокую прочность соединений при термоциклировании и механических нагрузках, низкое электрическое и тепловое сопротивление, минимальное механическое воздействие на кристалл и отсутствие загрязнений. При вибрационной пайке подложка и кристалл нагреваются до высокой температуры (~400°C), что может привести к повреждению кристалла. Использование ультразвуковых колебаний при монтаже кристаллов позволяет получать достаточно надёжные соединения кристаллов с подложкой, а так же уменьшить температуру процесса почти в 2 раза. В результате моделирования теплового сопротивления кристалл-подложка получены его зависимости от типа припоя и его толщины. Отмечен линейный рост теплового сопротивления и механических напряжений в кристалле в зависимости от толщины слоя припоя.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБестпринтru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectинтегральные схемыru_RU
dc.subjectтепловое сопротивлениеru_RU
dc.subjectкристаллыru_RU
dc.subjectassemblyru_RU
dc.subjectcrystalsru_RU
dc.subjectsolderingru_RU
dc.subjectsoldersru_RU
dc.subjectthermal resistanceru_RU
dc.titleМоделирование теплового сопротивления кристалл–подложка при монтаже интегральных схемru_RU
dc.title.alternativeThermal resistance simulation crystal-substrate for mounting integrated circuitsru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationMounting crystals in integrated circuit packages should provide high strength connections under thermal cycling and mechanical stress, low electrical and thermal resistance, minimal mechanical impact on the crystal and the absence of contamination. In vibratory eutectic soldering, the substrate and die are heated to high temperatures (~400°C), which can damage the die. The use of ultrasonic vibrations during the installation of crystals makes it possible to obtain sufficiently reliable connections between the crystals and the substrate, as well as to reduce the process temperature by almost 2 times. As a result of modeling the thermal resistance of the crystal-substrate, the dependences of this parameter on the type of solder and its thickness were obtained. A linear increase in thermal resistance and mechanical stresses in the crystal was noted depending on the thickness of the solder layer.-
Appears in Collections:BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня : материалы конференции (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lanin_Modelirovaniye1.pdf953.71 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.