Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48429
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЗайцев, В. А.-
dc.coverage.spatialМинск-
dc.date.accessioned2022-10-05T12:25:57Z-
dc.date.available2022-10-05T12:25:57Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationЗайцев, В. А. Эффекты слабой локализации в топологических изоляторах / Зайцев В. А. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХX Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 7 июня 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2022. – С. 44 – 45.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48429-
dc.description.abstractНеобычные свойства поверхностных электронов топологических изоляторов делают их чрезвычайно перспективными для создания устройств по спиновому транспорту, например, по инжекции и детектированию спин-поляризованных электронов.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectтопологические изоляторыru_RU
dc.subjectспин-орбитальное взаимодействиеru_RU
dc.titleЭффекты слабой локализации в топологических изоляторахru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2022

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zaytsev_Effekty.pdf288.45 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.