| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Редько, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Шерстнев, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Петрович, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-10-05T10:24:12Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:25:13Z | - |
| dc.date.available | 2015-10-05T10:24:12Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:25:13Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование пористого кремния методом импульсного электрохимического анодирования = Formation of porous silicon in the pulsed galvanostatic mode / Е. Б. Чубенко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2015. – № 3 (89). – С. 11–17. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4872 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты формирования слоев пористого кремния в пластинах монокристаллического кремния методом электрохимического анодирования с использованием импульсного гальваностатического режима. Установлены закономерности
изменения структурных свойств пористого кремния в зависимости от параметров режимов формирования. Показано, что полученные данным методом слои пористого кремния характеризуются более однородной структурой, чем полученные в стационарном гальваностатическом режиме анодирования. В разработанных импульсных режимах сформированы матрицы пористого кремния с аспектным соотношением пор до 1:500. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | пористый кремний | ru_RU |
| dc.subject | импульсное электрохимическое анодирование | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковая пористая матрица | ru_RU |
| dc.title | Формирование пористого кремния методом импульсного электрохимического анодирования | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of porous silicon in the pulsed galvanostatic mode | - |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №3 (89)
|
