Выращивание и свойства монокристаллов Cu2ZnSnS4

Abstract

Cоединения типа A2BCX4, (АI –Cu, Ag; BII – Zn, Cd; XVI – S, Se, Te) в последнее время привлекают к себе внимание различных групп исследователей, что связано с перспективностью применения указанных материалов в качестве поглощающего слоя в тонкопленочных солнечных элементах [1–5]. Cвязано это с тем, что указанные материалы являются прямозонными и обладают высоким коэффициентом оптического поглощения (>104 cm-1). Ширина запрещенной зоны ряда этих соединений изменяется в пределах 1,1–1,6 эВ, что является оптимальным значением для создания солнечных элементов [6–11]. В настоящей работе представлены результаты выращивания монокристаллов соединения Cu2ZnSnS4 и исследования их свойств.