| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Воробьева, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Уткина, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Ходин, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Сычева, О. А. | - |
| dc.contributor.author | Езовитова, Т. И. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-01T11:20:16Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-01T11:20:16Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2 / Воробьева А. И. [и др.] // Микроэлектроника. – 2022. – Т. 51, № 5. – С. 333–345. – DOI : https://doi.org/10.31857/S054412692205012X. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49242 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты комплексного исследования структурно-морфологических и термодинамических характеристик электрохимических осадков Cu в переходных отверстиях с барьерным слоем TiN в подложках Si/SiO2 методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и дифференциально-термического анализа (ДТА). Установлена область температур, определяющая термостойкость меди (до 750°C) и область температур (до 886°C), определяющая термостойкость композита в целом как способность сохранять химический состав и упорядоченную структуру при повышенной температуре. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | ФТИАН | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | электрохимические осаждения | ru_RU |
| dc.subject | сканирующая электронная микроскопия | ru_RU |
| dc.title | Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2 | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
