| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Зезюля, П. А. | - |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Кроткус, А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-02T08:00:12Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-02T08:00:12Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Зезюля, П. А. Генерация терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах субпикосекудными лазерными импульсами / П. А. Зезюля, В. Л. Малевич, А. Кроткус // Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / Белорусский государственный университет ; редкол.: М. М. Кугейко [и др.] – Минск, 2021. – С. 255-258. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49265 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследование генерации терагерцовых импульсов при лазерном субпикосекундном возбуждении гетероструктуры GaInAsBi/InP. Показано, что при возбуждении структуры со стороны подложки терагерцовые импульсы меняют полярность, когда энергия фотоэлектронов становится достаточной для их проникновения в широкозонный полупроводник. Данное явление может быть использовано в качестве бесконтактного метода определения потенциального барьера зон проводимости гетероперехода. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУ | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | терагерцовые излучения | ru_RU |
| dc.subject | гетероструктуры | ru_RU |
| dc.subject | фемтосекундные лазеры | ru_RU |
| dc.title | Генерация терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах субпикосекудными лазерными импульсами | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
