| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Жданович, Д. Н. | - |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Фадеева, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Толкачева, Е. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T09:06:12Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T09:06:12Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами = Influence of the electric field on the rate of removal of charge carriers in silicon-germanium alloys p-type under irradiation with alpha particles / Д. Н. Жданович // Медэлектроника–2022. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сборник научных статей XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 8-9 декабря 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. за вып.: М. В. Давыдов. – Минск : БГУИР, 2022. – С. 194–198. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49604 | - |
| dc.description.abstract | Показано, что при облучении альфа частицами обратно-смещенных диодных структур на основе кристаллов р-SiGe скорость удаления основных носителей заряда значительно снижена в области пространственного заряда (ОПЗ) диодов по сравнению с квазинейтральной областью. Наблюдаемый эффект связан с инжекционно-ускоренной миграцией собственных межузельных атомов кремния и их взаимодействием с другими дефектами решетки в ОПЗ диодов во время облучения. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | кремний-германиевый сплав | ru_RU |
| dc.subject | DLTS-спектроскопия | ru_RU |
| dc.subject | альфа-частица | ru_RU |
| dc.title | Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of the electric field on the rate of removal of charge carriers in silicon-germanium alloys p-type under irradiation with alpha particles | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | It is found that the removal rate of majority charge carriers is significantly reduced in depleted regions of reverse-biased SiGe-based n+-p diodes compared to that in the neutral regions upon irradiation with alfa particles. The observed effect is related to injection-enhanced mobility of Si self-interstitial atoms and their interactions with other lattice defects in the depleted regions of the diodes during irradiation. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Медэлектроника - 2022
|
