Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49688
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛозовенко, А. А.-
dc.contributor.authorФедосенко, В. С.-
dc.contributor.authorИджи, М.-
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.contributor.authorТаратын, И. А.-
dc.coverage.spatialМинскru_RU
dc.date.accessioned2023-01-10T13:17:42Z-
dc.date.available2023-01-10T13:17:42Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationЭлектрохимическое осаждение простых и бинарных полупроводниковых нанопроводов в матрицах анодного оксида алюминия / А. А. Лозовенко [и др.] // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах : cборник научных статей международной научной конференции, Минск, 21 – 23 сентября 2022 года / Институт тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова. – Минск : ИТМО им. А. В. Лыкова, 2022 – С.124-130.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49688-
dc.description.abstractРазработаны и исследованы методики формирования массивов наноприводов Bi, Sb и InSb в матрицах модифицированного анодного оксида аллюминия с большим аспектным отношением (>1000 с воспроизводимой микроструктурой и заданным составом.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherИТМО им. А. В. Лыковаru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectнанопроводаru_RU
dc.subjectматрицыru_RU
dc.subjectтемплейтный методru_RU
dc.subjectбинарные полупроводникиru_RU
dc.titleЭлектрохимическое осаждение простых и бинарных полупроводниковых нанопроводов в матрицах анодного оксида алюминияru_RU
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lozovenko_Elektrohimicheskoe.pdf307.34 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.