| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Достанко, А. П. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-02-08T06:33:36Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-08T06:33:36Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Маска для ионного легирования арсенида галлия : пат. 5321 Респ. Беларусь : МПК H 01L 21/266 / Телеш Е. В., Достанко А. П. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 19980191 ; заявл. 27.02.1998 ; опубл. 30.06.2003. – 5 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49904 | - |
| dc.description.abstract | В основу изобретения положена задача создания маски для ионного легирования арсенида галлия, которая имела бы более простую конструкцию и обладала бы повышенной надежностью. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | ионное легирование | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрики | ru_RU |
| dc.title | Маска для ионного легирования арсенида галлия | ru_RU |
| dc.title.alternative | Пат. 5321 Респ. Беларусь | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
