| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боднарь, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Фещенко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Хорошко, В. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-02-08T11:56:55Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-08T11:56:55Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x : пат. 12551 U Респ. Беларусь : МПК (2006) C 30B 11/04 / Боднарь И. В., Фещенко А. А., Хорошко В. В. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20200223 ; заявл. 11.09.2020 ; опубл. 28.02.2021. – 3 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49926 | - |
| dc.description.abstract | Полезная модель относится к области выращивания кристаллов из расплава методом Бриджмена, вертикальный вариант, в частности к системам их получения, и может быть использована для роста крупноблочных полупроводниковых монокристаллов с определенными физическо-химическими свойствами, на основе которых будут созданы приборы с новыми функциональными возможностями. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллы | ru_RU |
| dc.subject | выращивание кристаллов | ru_RU |
| dc.title | Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x | ru_RU |
| dc.title.alternative | Пат. 12551 U Респ. Беларусь | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Appears in Collections: | Полезные модели
|
