| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Матсон, Э. А. | - |
| dc.contributor.author | Галузо, В. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-03-07T06:13:20Z | - |
| dc.date.available | 2023-03-07T06:13:20Z | - |
| dc.date.issued | 1982 | - |
| dc.identifier.citation | Интегральный биполярный транзистор : а. с. 865081 СССР : МПК H 01L 29/72 / Матсон Э. А., Галузо В. Е. ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 2922174/18-25 ; заявл. 08.05.1980 ; опубл. 23.08.1982. – 3 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50361 | - |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к конструкциям биполярных транзисторов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектроника | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Интегральный биполярный транзистор | ru_RU |
| dc.title.alternative | А. с. 865081 СССР | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
