| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Левченко, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Постнова, Л. И. | - |
| dc.contributor.author | Труханова, Е. Л. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-20T12:57:35Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:27:03Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-20T12:57:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:27:03Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Эпитаксиальные пленки селенида цинка на пористом кремнии / В. И. Левченко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 6 (92). - С. 100 - 102. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5084 | - |
| dc.description.abstract | Эпитаксиальные пленки ZnSe выращены путем термического испарения соединения ZnSe
на подложках Si ориентации (111) и (100) с буферным пористым слоем. Кристаллическая
структура осаждаемых пленок контролировалась методом рентгеновской дифрактометрии.
Морфология пленок изучалась методом растровой электронной микроскопии высокого
разрешения. Установлено, что использование пористого буферного слоя позволяет
повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный
Кремний. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | эпитаксиальные пленки | ru_RU |
| dc.subject | селенид цинка | ru_RU |
| dc.subject | пористый кремний | ru_RU |
| dc.title | Эпитаксиальные пленки селенида цинка на пористом кремнии | ru_RU |
| dc.title.alternative | Epitaxial films of zinc selenide on porous silicon | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | ZnSe epitaxial films are grown on (111)- and (100)-oriented Si substrates with a porous buffer
layer by the thermal evaporation of ZnSe compound. The crystal structure of the deposited films was
controlled by X-ray diffraction. The morphology of the films was studied by high-resolution scanning
electron microscopy. It was demonstrated the porous buffer layer provides improving the quality of
the films compared with films deposited on the monolithic silicon. | - |
| Appears in Collections: | №6 (92)
|
