| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьёв, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-04-29T07:36:44Z | - |
| dc.date.available | 2023-04-29T07:36:44Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьёв, В. В. Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена=Influence of the Electric Field on the Properties of Hydrogenated Graphene / В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 2. – С. 21-26. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51167 | - |
| dc.description.abstract | Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов
для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Путем моделирования из первых принципов (ab initio метод) исследовано влияние внешнего электрического поля на свойства
зонной диаграммы материала графана, который является модификацией графена при использовании атомов водорода. Установлено, что приложенное к структуре графана внешнее электрическое поле приводит
к существенному изменению его зонных диаграмм, которое связанно с изменением их типа. При малых значениях напряженности внешнего электрического поля, приблизительно до 0,3 a.u. (1 a.u. ≈ 51,4 ⋅ 10 10 В/м),
наблюдаются зонные диаграммы графана с прямым минимальным зазором для долины Г между зоной
проводимости и валентной зоной. С дальнейшим увеличением напряженности внешнего электрического
поля зонные диаграммы демонстрируют непрямой минимальный зазор. При еще больших значениях напряженности внешнего электрического поля, которые превышают 0,8 a.u., зонные диаграммы графана
приобретают вид, свойствененный металлическим структурам. Полученные зависимости и параметры
графана могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои
графена и других полупроводниковых материалов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | графенены | ru_RU |
| dc.subject | графаны | ru_RU |
| dc.subject | зонные диаграммы | ru_RU |
| dc.title | Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of the Electric Field on the Properties of Hydrogenated Graphene | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-21-26 | - |
| local.description.annotation | Graphene is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices for various frequency ranges. The influence of an external electric field on the properties of the
band diagram of the graphene material, which is a modification of graphene using hydrogen atoms, was studied
by simulating from the first principles (ab initio method). It was found that an external electric field applied to the
graphene structure leads to a substantial change in its band diagrams, which is associated with a change in their
type. At small values of external electric field strength, approximately up to 0.3 a.u. (1 a.u. ≈ 51.4 ⋅ 10 10 V/m),
we observe graphane zone diagrams with straight minimal gap for Г valley between conduction and valence zones. With further increase in external electric field strength the zone diagrams show indirect minimal gap.
With even higher values of external electric field strength, which exceed 0.8 a.u., graphane band diagrams take
on a form peculiar to metallic structures. These dependences and the resulting graphene parameters could be the
basis for new heterostructure devices containing layers of graphene and other semiconductor materials. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Том 21, № 2
|
