Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51173
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВан Тунг Фам-
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.coverage.spatialМинскru_RU
dc.date.accessioned2023-04-29T08:16:02Z-
dc.date.available2023-04-29T08:16:02Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationВан Тунг Фам. Резисторная модель слоистых пленочных структур=Resistor Model of Layered Film Structures / Ван Тунг Фам, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 2. – С. 14-20.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51173-
dc.description.abstractПредлагается электрические свойства пленочных структур, состоящих из двумерных слоев, образованных нанокристаллическими зернами полупроводника, моделировать эквивалентной схемой. В данной схеме соединенные определенным образом резисторы показывают сопротивление токопроводящих каналов в металлических контактах к ним, материала зерен, межзеренных и межслоевых потенциальных барьеров. Численным моделированием установлено, что распределение тока по площади контактов существенно неоднородно. Плотность тока на периферии контактов может в 3–6 раз превышать этот показатель в их центре. Величины же локальных токов и их распределение по объему слоистых пленок зависят от их зернистости, количества слоев и электронных свойств потенциальных барьеров между зернами и слоями.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectслоистые пленкиru_RU
dc.subjectэквивалентные схемыru_RU
dc.subjectнанокристаллыru_RU
dc.titleРезисторная модель слоистых пленочных структурru_RU
dc.title.alternativeResistor Model of Layered Film Structuresru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.DOIhttp://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-14-20-
local.description.annotationElectric properties of film structures consisting of two-dimensional layers, composed by nanocrystalline grains of a semiconductor are proposed to be modeled with an equivalent scheme, in which resistors indicate electrical resistance of current channels in metallic contacts, grain material, potential barriers between grains and layers. Numerical simulation within the model has shown that there is a nonuniform current distribution over the area of the contacts. Current density at their edges can be 3–6 times higher than in the center. Local currents and their distribution in the film bulk are determined by the grain structure of the film, number of the layers, electronic properties of the barriers between grains and layers.ru_RU
Располагается в коллекциях:Том 21, № 2

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Van_Rezistornaya.pdf1.32 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.