| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Калита, Е. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-11T05:58:15Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-11T05:58:15Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Калита, Е. В. Метод прогнозирования электрического функционального параметра биполярных транзисторов для длительных наработок = Method for predicting the values of the electric functional parameter of bipolar transistors for a given operating time / Калита Е. В. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 148–151. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51266 | - |
| dc.description.abstract | Рассматривается применение метода имитационного моделирования, позволяющего для биполярных транзисторов (с помощью предварительных исследований) получить модель для расчёта имитационного воздействия, вызывающего примерно такое же изменение электрического функционального параметра транзисторов, как и заданная длительная их наработка. Это позволяет в качестве прогнозного значения электрического параметра рассматривать результат его измерения при наличии на транзисторе имитационного воздействия, соответствующего заданной наработке. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | имитационное воздействие | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.title | Метод прогнозирования электрического функционального параметра биполярных транзисторов для длительных наработок | ru_RU |
| dc.title.alternative | Method for predicting the values of the electric functional parameter of bipolar transistors for a given operating time | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The application of the simulation method is considered, which allows for bipolar transistors (with the help of preliminary studies) to obtain a model for calculating a simulation effect that causes approximately the same change in the electrical functional parameter of transistors as their given long-term operating time. This allows us in the presence of a simulation effect on the transistor to consider the result of an electrical parameter measurement as its a predictive value of corresponding to a given operating time. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
