| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кабак, Т. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-18T11:45:27Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-18T11:45:27Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Кабак, Т. В. Анализ особенностей работы средств контроля субмикронных структур изделий электронной техники = Analysis of features of control tools for submicron structures in electronics / Кабак Т. В. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 518–521. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51456 | - |
| dc.description.abstract | Контроль технологических этапов формирования изделий полупроводниковой техники может производится посредством анализа комплекта полученных изображений топологических слоев интегральных микросхем. Проанализированы преимущества применения растровой электронной микроскопия в сочетании с локальным ионно-лучевым препарированием как средство анализа вертикальной структуры интегральных микросхем. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковая техника | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | электронная микроскопия | ru_RU |
| dc.subject | ионно-лучевые технологии | ru_RU |
| dc.title | Анализ особенностей работы средств контроля субмикронных структур изделий электронной техники | ru_RU |
| dc.title.alternative | Analysis of features of control tools for submicron structures in electronics | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The control of the technological stages of the formation of semiconductor products can be carried out by analyzing the set of obtained images of the topological layers of integrated circuits. The advantages of using scanning electron microscopy in combination with local ionbeam preparation as a means of analyzing the vertical structure of integrated circuits are analyzed. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
