| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кабак, Т. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-18T12:05:32Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-18T12:05:32Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Кабак, Т. В. Анализ особенностей оборудования для плазменной обработки поверхности нитрида кремния = Analysis of features of equipment for plasma treatment of silicon nitride surface / Кабак Т. В. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 524–526. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51457 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены схемы реакторов технологического оборудования индуктивносвязной плазмы с объемным расположением подложек, с помощью которых возможно проводить обработку поверхности нитрида кремния, направленные на получение гладкой морфологии с высокой анизотропией слоев. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | плазменное травление | ru_RU |
| dc.subject | плазменные реакторы | ru_RU |
| dc.subject | нитриды кремния | ru_RU |
| dc.title | Анализ особенностей оборудования для плазменной обработки поверхности нитрида кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Analysis of features of equipment for plasma treatment of silicon nitride surface | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The article considers the schemes of reactors for technological equipment of inductively coupled plasma with a three-dimensional arrangement of substrates. A schemeof the design of the reactor is presented, with the help of which current studies are carried out aimed at obtaining a smooth morphology and high anisotropy of vertical layers with respect to horizontal ones during inductively coupled plasma processing of silicon nitride. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
