| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Грунский, Д. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T15:58:46Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T07:51:37Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-04T15:58:46Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T07:51:37Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Грунский, Д. И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Д. И. Грунский; науч. рук. А.П. Досганко, М.Н. Босяков. - Мн.: БГУИР, 2001. - 23 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5154 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследование процесса формирования слоев аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) в комбинированном разряде при одновременном воздействии ВЧ и 114 полей. Разработан и создан экспериментальный комплекс для осаждения a-Si:H на подложках площадью до 300 см2. Он содержит разрядную систему в плазмобоксе, согласующее устройство, ВЧ и НЧ генераторы, диагностический комплекс и сканирующее устройство для исследования эмиссии силансодержащей плазмы. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | плазмохимическое осаждение | ru_RU |
| dc.subject | a-Si:H | ru_RU |
| dc.subject | комбинированный разряд | ru_RU |
| dc.subject | оптическая эмиссионная спектроскопия | ru_RU |
| dc.subject | актинометрическая методика | ru_RU |
| dc.subject | толщина катодного слоя | ru_RU |
| dc.subject | plasma enhanced deposition | ru_RU |
| dc.subject | a-Si:H | ru_RU |
| dc.subject | combined discharge | ru_RU |
| dc.subject | optical emission spectroscopy | ru_RU |
| dc.subject | actinometrical method | ru_RU |
| dc.subject | thickness of a sheath | ru_RU |
| dc.title | Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда | ru_RU |
| dc.title.alternative | Deposition of a-Si:H in silanconsider plasma of twofrequency discharge | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The research of deposition process of layers amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) in twofrequency discharge (is conducted at simultaneous influence of a RF and LF of electromagnetic fields) is cany out. Is designed and the experimental installation for a deposition a-Si:H on substrates by the area up to 300 см2 is created. It contains a digit system in plasma-box, matching box, RF and LF generators, diagnostic complex and scanner for research of emission of silanconsider plasma. | - |
| Appears in Collections: | 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
|
