| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Фам, В. Т. | - |
| dc.contributor.author | Максимов, С. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-06-22T11:11:26Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-22T11:11:26Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Фам, В. Т. Гистерезис вольтамперных характеристик пленочных структур g-C3N4 / В. Т. Фам, С. Е. Максимов // Радиотехника и электроника : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2023. – С. 167–168. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52201 | - |
| dc.description.abstract | Нами сформированы пленочные структуры на основе графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4), на которых измеренные вольтамперные характеристики демонстрируют гистерезис, типичный для мемристорного эффекта. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | пленочные структуры | ru_RU |
| dc.subject | вольтамперные характеристики | ru_RU |
| dc.subject | гистерезис | ru_RU |
| dc.title | Гистерезис вольтамперных характеристик пленочных структур g-C3N4 | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
