| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Волчик, К. О. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-06-26T05:59:54Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-26T05:59:54Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Волчик, К. О. Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков / К. О. Волчик, И. Ю. Ловшенко // Радиотехника и электроника : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2023. – С. 140–141. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52249 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования наноразмерных транзисторов с кольцевым затвором на основе
сегнетоэлектриков. Рассмотрены проблемы масштабирования элементов интегральных схем, особенности наноразмерных структур, в частности их квантовые эффекты. Изучены технологии
формирования и эксплуатационные характеристики GAAFET. Выявлено, что полная диэлектрическая
изоляция днища снижает мощность на 18%, увеличивая произвоизводительность на 4%. Данные
устройства демонстрируют лучшую устойчивость к изменениям процесса в отношении контроля
утечки подканала. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | наноразмерные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.title | Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
