| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сидорова, Т. Н. | - |
| dc.contributor.author | Назаренко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Подрябинкин, Д. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-08-22T09:18:17Z | - |
| dc.date.available | 2023-08-22T09:18:17Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Сидорова, Т. Н. Спин-зависимый транспорт в наноструктурах ферромагнетик/оксидный диэлектрик/ферромагнетик / Т. Н. Сидорова, А. А. Назаренко, Д. А. Подрябинкин // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХXI Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 6 июня 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2023. – С. 85. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52568 | - |
| dc.description.abstract | Разработка элементов резистивной памяти (RRAM) в настоящее время весьма актуальна. Спин-зависимый токоперенос в элементах RRAM позволяет адаптировать такие элементы для применения в спинтронике. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | токоперенос | en_US |
| dc.subject | спин-зависимый транспорт | en_US |
| dc.subject | резистивная память | en_US |
| dc.title | Спин-зависимый транспорт в наноструктурах ферромагнетик/оксидный диэлектрик/ферромагнетик | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2023
|
