| Title: | Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора |
| Other Titles: | First-Principles Modelling of the Properties of Graphene Modified with Fluorine Atoms |
| Authors: | Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | доклады БГУИР;графены;зонные диаграммы;полупроводниковые структуры |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Мищенко, В. Н. Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора=First-Principles Modelling of the Properties of Graphene Modified with Fluorine Atoms / В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 4. – С. 71–75. |
| Abstract: | Приведены результаты моделирования свойств графена, модифицированного атомами фтора.Создание современных полупроводниковых приборов требует внедрения новых материалов. Графен – один из них, вызывающий интерес исследователей. Добавление атомов фтора, водорода и других химических элементов в графен позволяет создавать его модификации. На этой основе можно разрабатывать полупроводниковые приборы и устройства с улучшенными выходными характеристиками. Путем моделирования из первых принципов получены основные характеристики модификации графена с использованием атомов фтора, а именно – зонная диаграмма, зависимости плотности состояния (параметр DOS) электронов и дырок от энергии. При итерационном решении транспортного уравнения Больцмана определены зависимости подвижности носителей заряда от температуры. Полученные зависимости и параметры фторированного графена могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои модифицированного графена и других полупроводниковых материалов. |
| Alternative abstract: | The results of modeling the properties of graphene modified with fluorine atoms are presented. The cre ation of modern semiconductor devices requires the introduction of new materials. Graphene is one of them that is of interest to researchers. The addition of fluorine, hydrogen, and other chemical elements to graphene makes it possible to create its modifications. On this basis, it is possible to develop semiconductor devices and devices with improved output characteristics. The basic characteristics of graphene modification with the use of fluorine atoms, namely, the band diagram, the dependences of the density of state (DOS parameter) of electrons and holes on the energy value, were obtained by first-principles modeling. The dependences of charge carrier mobility on temperature are determined for the iterative solution of the Boltzmann transport equation The dependences and parameters obtained for fluorinated graphene can serve as a basis for creating new heterostructural devices containing layers of modified graphene and other semiconductor materials. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52681 |
| DOI: | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-4-71-75 |
| Appears in Collections: | Том 21, № 4
|
