| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Омельченко, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-09-01T11:23:08Z | - |
| dc.date.available | 2023-09-01T11:23:08Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Пилипенко, В. А. Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния=Model of the Formation of a Fixed Charge in SiO2, Produced by Thermal Oxidation of Silicon / В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 4. – С. 28–32. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52683 | - |
| dc.description.abstract | Твердофазная рекристаллизация поверхностного слоя кремния после химико-механической полировки с использованием быстрой термической обработки импульсами секундной длительности – один из возможных путей улучшения поверхностных свойств кремния. Рассмотрено влияние быстрой термической обработки, приводящей к твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя, на формирование фиксированного заряда в SiO 2 при термическом окислении кремния. Приведены результаты исследования пластин кремния электронного, легированного фосфором (КЭФ 4,5), и кремния дырочного, легированного бором (КДБ 12), ориентации <100> диаметром 100 мм после химико-механической полировки. Методом вольт-фарадных характеристик определялись напряжение плоских зон и плотность заряда на границе раздела «кремний – диоксид кремния», методом сканирующей зондовой электрометрии – поверхностное распределение этих характеристик до и после быстрой термообработки. Установлено, что быстрая термообработка на кремниевых пластинах КЭФ 4,5 и КДБ 12 ориентации <100> за счет твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя приводит к уменьшению поверхностного потенциала по площади пластин и остаточного фиксированного заряда в диоксиде кремния в полтора раза. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | подзатворные диэлектрики | en_US |
| dc.subject | фиксированные заряды | en_US |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | en_US |
| dc.title | Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния | en_US |
| dc.title.alternative | Model of the Formation of a Fixed Charge in SiO2, Produced by Thermal Oxidation of Silicon | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Solid-state recrystallization of the surface silicon layer after chemical and mechanical polishing with application of fast thermal treatment by pulses of one second duration is one of the feasible methods of improving the silicon surface properties. The purpose of this work is to explore the impact of fast thermal treatment resulting in solid state recrystallization of mechanically disrupted layer on generation of fixed charge in SiO 2 at thermal oxidation of silicon. The results of studying P-doped electron silicon (KEF 4.5) and B-doped hole silicon (BDS 12) hole-type silicon of orientation <100> diameter 100 mm after chemical and mechanical polishing are provi ded. By the method of voltage-capacitance characteristic the flat zones voltage and charge density on the boundary of “sili con – silicon dioxide” were determined and by the method of scanning probe electrometry the surface distri bu tion of these characteristic prior and after fast thermal treatment was determined. It has been ascertained that fast thermal treatment on silicon wafers KEF 4.5 and BDS 12 of orientation <100> due to solid state recrystallization of mechanically disrupted layer shall bring about 1.5 times decrease in surface potential along wafers area and residual fixed charge in silicon dioxide. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 21, № 4
|
