Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53082
| Название: | Структура GaN транзисторов |
| Авторы: | Бондарев, А. А. |
| Ключевые слова: | материалы конференций;транзисторы;GaN;генеративно-состязательные сети;машинное обучение;MOSFET;МОП-транзисторы |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Бондарев, А. А. Структура GaN транзисторов/ А. А. Бондарев // Научная конференция учащихся колледжа : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минский радиотехнический колледж ; редкол.: В. В. Шаталова [и др.]. – Минск : БГУИР, 2023. – С. 287–289. |
| Аннотация: | Предоставленные материалы направлены на изучение структуры современного
решения высокоэффективных транзисторов GaN структуры и его сравнение с технологией. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53082 |
| Располагается в коллекциях: | Научная конференция учащихся колледжа : материалы 59-й научной конференции (2023)
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
