| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Романова, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Щербакова, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-11-13T12:27:42Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-13T12:27:42Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов = Simulation of nanoelectronic device structures based on 2D materials / И. И. Абрамов [и др.] // Нанотехнологии, разработка, применение: XXI век. – 2023. – T. 15, № 1. – С. 54-68. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53590 | - |
| dc.description.abstract | Дан обзор исследований по моделированию приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов, проведенных в БГУИР. Результаты получены с использованием разработанных численных комбинированных моделей формализма волновых функций. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Издательство "Радиотехника" | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | полевые транзисторы | en_US |
| dc.subject | двухслойные графены | en_US |
| dc.subject | комбинированные модели | en_US |
| dc.subject | 2D-материалы | en_US |
| dc.title | Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов | en_US |
| dc.title.alternative | Simulation of nanoelectronic device structures based on 2D materials | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | A review of studies on the simulation of nanoelectronics device structures based on 2D materials carried out at BSUIR is given. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
