Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53694
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKrivosheeva, A. V.-
dc.contributor.authorShaposhnikov, V. L.-
dc.coverage.spatialMinsken_US
dc.date.accessioned2023-11-21T07:28:07Z-
dc.date.available2023-11-21T07:28:07Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationKrivosheeva, A. V. Electronic and magnetic properties of doped 2D MoS2 /Ph systems / A. V. Krivosheeva, V. L. Shaposhnikov // Actual Problems of Solid State Physics : proceedings of the Х International Scientific Conference, Minsk, 22–26 May 2023 / The national academy of sciences of Belarus, Scientific and practical materials research centre of the national academy of sciences of Belarus (institute of solid state and semiconductor physics) ; ed. V. M. Fedosyuk [et al.]. – Minsk, 2023. – P. 485–487.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53694-
dc.description.abstractDoping of heterostructure made from two-dimensional crystals of molybdenum disulfide and phosphorene was theoretically modelled in order to reveal impurities modifying the electronic band structure of the system and having impact on its magnetic properties. Variants of substitution of one of the molybdenum atoms by Cr, Fe, Mn atoms, and one of the sulfur atoms by C, N, P ones in the MoS2 layer were simulated; doping of the phosphorene layer with C, N, S atoms was considered as well. The effect of impurities on electronic and magnetic properties of the structure is determined.en_US
dc.language.isoenen_US
dc.publisherА. Н. Вараксинen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectdichalcogenideen_US
dc.subjectphosphoreneen_US
dc.subjectmonolayeren_US
dc.subjectheterostructureen_US
dc.subjectmagnetic orderingen_US
dc.titleElectronic and magnetic properties of doped 2D MoS2 /Ph systemsen_US
dc.typeArticleen_US
Располагается в коллекциях:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Krivosheeva_Electronic.pdf766.65 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.