| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Литвинова, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Ефименко, С. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-12-06T07:09:17Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-06T07:09:17Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Литвинова, А. В. Особенности технологии изготовления GaN-приборов = Features of the manufacturing technology of GaN devices / А. В. Литвинова, С. А. Ефименко // Приборостроение – 2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, Минск, 15–17 ноября 2023 / Белорусский национальный технический университет. – Минск, 2023. – С. 425–426. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53765 | - |
| dc.description.abstract | Сегодня приборы на основе нитрида галлия находят широкое применение в силовой электронике. Рассмотрены базовые технологические процессы создания приборов на основе GaN: начиная с эпитаксии и заканчивая сборкой | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Белорусский национальный технический университет | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | GaN-приборы | en_US |
| dc.subject | силовая электроника | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.subject | эпитаксиальное наращивание | en_US |
| dc.subject | изоляция приборов | en_US |
| dc.subject | литография | en_US |
| dc.title | Особенности технологии изготовления GaN-приборов | en_US |
| dc.title.alternative | Features of the manufacturing technology of GaN devices | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Today, devices based on gallium nitride are widely used in power electronics. The basic technological processes of creating devices based on GaN are considered: starting with epitaxy and ending with assembly. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
