Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53952
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЯрмолик, В. Н.-
dc.contributor.authorДеменковец, Д. В.-
dc.contributor.authorПетровская, В. В.-
dc.contributor.authorИванюк, А. А.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2024-01-03T07:05:59Z-
dc.date.available2024-01-03T07:05:59Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationФормальная модель описания и условия обнаружения связных неисправностей взаимного влияния запоминающих устройств = Formal description model and conditions for detecting linked coupling faults of the memory devices / В. Н. Ярмолик [и др.] // Информатика. – 2023. – № 4 (20). – С. 7–23.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53952-
dc.description.abstractЦелью работы являются разработка и анализ формальной модели описания сложных связных неисправностей взаимного влияния запоминающих устройств и формулировка необходимых и достаточных условий их обнаружения. Актуальность данных исследований заключается в том, что современные запоминающие устройства, характеризующиеся большим объемом хранимых данных и изготовленные по новейшим технологическим нормам, отличаются проявлением в них сложных разновидностей неисправностей. Результаты исследования основаны на классической теории и практике однократных маршевых тестов (March tests) запоминающих устройств. В частности, в работе используются формальные математические модели описания неисправностей памяти и показывается их ограниченность для представления связных неисправностей взаимного влияния. Главная идея предлагаемого авторами подхода заключается в применении нового формального описания подобных неисправностей, ключевым элементом которого является использование ролей, выполняемых ячейками запоминающего устройства, участвующими в неисправности. Определены три основные роли, которые выполняют ячейки связной неисправности взаимного влияния, а именно: роль агрессора (A), роль жертвы (V), а также роль, включающая роли жертвы и агрессора (B), выполняемые двумя ячейками одновременно по отношению друг к другу. Показано, что сценарий реализации ролей ячеек неисправности памяти определяется применяемым маршевым тестом и в первую очередь используемой им адресной последовательностью обращения к ячейкам. Приведена процедура построения формальной модели связной неисправности, основу которой составляют роли, выполняемые ячейками, входящими в неисправность, и сценарий, задаваемый тестом. На базе нового формального описания связных неисправностей взаимного влияния сформулировано утверждение, определяющее необходимые и достаточные условия обнаружения подобных неисправностей. Показывается наличие необнаруживаемых неисправностей взаимного влияния и определяется возможность их обнаружения в рамках многократных маршевых тестов. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили справедливость сформулированных положений статьи. На базе классического примера связной неисправности взаимного влияния показано выполнение необходимых и достаточных условий ее обнаружения однократным маршевым тестом. Результаты исследований подтверждают, что предложенная формальная математическая модель описания связных неисправностей взаимного влияния позволяет идентифицировать их покрытие маршевыми тестами. В рамках предложенной модели определяются необходимые и достаточные условия обнаружения связных неисправностей взаимного влияния маршевыми тестами, покрывающими одиночные связные неисправности.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherОбъединенный институт проблем информатики Национальной академии наук Беларусиen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectвычислительные системыen_US
dc.subjectмаршевые тестыen_US
dc.subjectадресная последовательностьen_US
dc.titleФормальная модель описания и условия обнаружения связных неисправностей взаимного влияния запоминающих устройствen_US
dc.title.alternativeFormal description model and conditions for detecting linked coupling faults of the memory devicesen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIhttps://doi.org/10.37661/1816-0301-2023-20-4-7-23-
local.description.annotationThe aim of the work is to develop and analyze a formal model for describing complex linked coupling faults of memory devices and to formulate the necessary and sufficient conditions for their detection.en_US
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
YArmolik_Formal'naya.pdf7.75 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.