DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Ярмолик, В. Н. | - |
dc.contributor.author | Деменковец, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Петровская, В. В. | - |
dc.contributor.author | Иванюк, А. А. | - |
dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
dc.date.accessioned | 2024-01-03T07:05:59Z | - |
dc.date.available | 2024-01-03T07:05:59Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.citation | Формальная модель описания и условия обнаружения связных неисправностей взаимного влияния запоминающих устройств = Formal description model and conditions for detecting linked coupling faults of the memory devices / В. Н. Ярмолик [и др.] // Информатика. – 2023. – № 4 (20). – С. 7–23. | en_US |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53952 | - |
dc.description.abstract | Целью работы являются разработка и анализ формальной модели описания сложных связных
неисправностей взаимного влияния запоминающих устройств и формулировка необходимых и достаточных условий их обнаружения. Актуальность данных исследований заключается в том, что современные
запоминающие устройства, характеризующиеся большим объемом хранимых данных и изготовленные
по новейшим технологическим нормам, отличаются проявлением в них сложных разновидностей неисправностей.
Результаты исследования основаны на классической теории и практике однократных маршевых тестов (March tests) запоминающих устройств. В частности, в работе используются формальные математические модели описания неисправностей памяти и показывается их ограниченность для представления связных неисправностей взаимного влияния. Главная идея предлагаемого авторами подхода
заключается в применении нового формального описания подобных неисправностей, ключевым элементом которого является использование ролей, выполняемых ячейками запоминающего устройства, участвующими в неисправности.
Определены три основные роли, которые выполняют ячейки связной неисправности взаимного влияния, а именно: роль агрессора (A), роль жертвы (V), а также роль, включающая роли жертвы
и агрессора (B), выполняемые двумя ячейками одновременно по отношению друг к другу. Показано, что
сценарий реализации ролей ячеек неисправности памяти определяется применяемым маршевым тестом
и в первую очередь используемой им адресной последовательностью обращения к ячейкам. Приведена
процедура построения формальной модели связной неисправности, основу которой составляют роли,
выполняемые ячейками, входящими в неисправность, и сценарий, задаваемый тестом. На базе нового
формального описания связных неисправностей взаимного влияния сформулировано утверждение, определяющее необходимые и достаточные условия обнаружения подобных неисправностей. Показывается
наличие необнаруживаемых неисправностей взаимного влияния и определяется возможность их обнаружения в рамках многократных маршевых тестов. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили справедливость сформулированных положений статьи. На базе классического примера связной
неисправности взаимного влияния показано выполнение необходимых и достаточных условий ее обнаружения однократным маршевым тестом.
Результаты исследований подтверждают, что предложенная формальная математическая модель описания связных неисправностей взаимного влияния позволяет идентифицировать их покрытие маршевыми тестами. В рамках предложенной модели определяются необходимые и достаточные условия обнаружения связных неисправностей взаимного влияния маршевыми тестами, покрывающими одиночные связные неисправности. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | Объединенный институт проблем информатики Национальной академии наук Беларуси | en_US |
dc.subject | публикации ученых | en_US |
dc.subject | вычислительные системы | en_US |
dc.subject | маршевые тесты | en_US |
dc.subject | адресная последовательность | en_US |
dc.title | Формальная модель описания и условия обнаружения связных неисправностей взаимного влияния запоминающих устройств | en_US |
dc.title.alternative | Formal description model and conditions for detecting linked coupling faults of the memory devices | en_US |
dc.type | Article | en_US |
dc.identifier.DOI | https://doi.org/10.37661/1816-0301-2023-20-4-7-23 | - |
local.description.annotation | The aim of the work is to develop and analyze a formal model for describing complex linked coupling faults of memory devices and to formulate the necessary and sufficient conditions for their detection. | en_US |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|