| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Зайцев, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Подрябинкин, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Мельникова, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Новополоцк | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-01-16T07:36:45Z | - |
| dc.date.available | 2024-01-16T07:36:45Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования = Electrophysical parameters interrelation model for cad systems / В. А. Зайцев [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2023. – № 2 (41). – С. 63–68. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54105 | - |
| dc.description.abstract | Представлена модель и установлены закономерности взаимосвязи электрофизических параметров
транзисторной структуры с двумерным каналом, основанные на самосогласовании электрохимического
потенциала и концентрации носителей заряда двумерного канала в полевой транзисторной структуре.
Такое самосогласование обеспечивается совмещением статистики Ферми – Дирака с условием электронейтральности транзисторной структуры. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры
транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны мате-
риала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Разработанная модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом может использоваться в системах автоматизированного проектирования элементной базы микро- и наноэлектроники. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | транзисторные структуры | en_US |
| dc.subject | двумерные полупроводники | en_US |
| dc.subject | электрохимический потенциал | en_US |
| dc.title | Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования | en_US |
| dc.title.alternative | Electrophysical parameters interrelation model for cad systems | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | DOI 10.52928/2070-1624-2023-41-2-63-68 | - |
| local.description.annotation | A model is presented and regularities are established for the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure and a two-dimensional channel, based on the self-consistency of the electrochemical potential and the concentration of charge carriers of a two-dimensional channel in a field-effect transistor structure. Such self-consistency is ensured by combining the Fermi – Dirac statistics with the condition of electrical neutrality of the transistor structure. The effect on the electrophysical parameters of a transistor structure
with a two-dimensional semiconductor channel is considered for the band gap of the channel material, the capac-
itance of the gate dielectric, and the capacitance of interface states. The developed model of the relationship between
the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional channel can be used in computeraided design systems for the element base of micro- and nanoelectronics. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
