Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54124
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГорошко, Д. Л.-
dc.contributor.authorГаврилин, И. М.-
dc.contributor.authorДронов, А. А.-
dc.contributor.authorГорошко, О. А.-
dc.contributor.authorВолкова, Л. С.-
dc.contributor.authorГревцов, Н. Л.-
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.coverage.spatialМоскваen_US
dc.date.accessioned2024-01-18T06:43:00Z-
dc.date.available2024-01-18T06:43:00Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationЭлектрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний = Electrical transport in porous Si-Ge/c-Si structures formed by electrochemical deposition of germanium into porous silicon / Д. Л. Горошко [и др.] // Известия вузов. Электроника. – 2023. – Т. 28, № 6. – С. 734–744.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54124-
dc.description.abstractПленочные структуры на основе твердых растворов Si1–хGeх (0 < х < 1) в настоящее время получают методами химического осаждения из газовой фазы. Для приборного применения полученных структур необходимо знать электрофизические свойства материала, синтезированного при разных условиях. В работе проведены гальваномагнитные исследования электропроводности в пористых и сплошных пленках Si1–хGeх, а также концентрации и подвижности основных носителей заряда в них при температуре 30–300 К. Показано, что, как и в чистых кремнии и германии сравнимой пористости, электропроводность в исследованных образцах можно рассматривать как в среде с пустотами. Установлено, что тип основных носителей заряда в сплаве определяется типом использованной кремниевой подложки. Это практически важно для создания обоих плеч термоэлектрического преобразователя, что делает метод получения сплава Si1–хGeх перспективным для приборного применения, в частности в термоэлектрических преобразователях и литий-ионных аккумуляторах.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherНациональный исследовательский университет "МИЭТ"en_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectпленочные структурыen_US
dc.subjectэлектрический транспортen_US
dc.subjectэлектрохимическое осаждениеen_US
dc.subjectпористые структурыen_US
dc.titleЭлектрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремнийen_US
dc.title.alternativeElectrical transport in porous Si-Ge/c-Si structures formed by electrochemical deposition of germanium into porous siliconen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIdoi:10.24151/1561-5405-2023-28-6-734-744-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Goroshko_Elektricheskij.pdf927.09 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.