| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Полубок, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-12T08:32:07Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T07:51:36Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-12T08:32:07Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-20T07:51:36Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Полубок, В. А. Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / В. А. Полубок; науч. рук. И. В. Боднарь. - Минск : БГУИР, 2008. - 20 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5421 | - |
| dc.description.abstract | Цель работы заключается в выращивании оптически однородных монокристаллов ln2S3, двух структурных модификаций и получении на их основе пленок: установлении закономерностей изменения физико-химических, оптических, электрических и теплофизических свойств монокристаллов и пленок указанного соединения; создании поверхностно-барьерных структур и исследовании их фотоэлектрических свойств. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллы | ru_RU |
| dc.subject | тепловое расширение | ru_RU |
| dc.subject | температура Дебая | ru_RU |
| dc.subject | single crystals | ru_RU |
| dc.subject | thermal expansion | ru_RU |
| dc.subject | the characteristic Debye temperature | ru_RU |
| dc.title | Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of the single cry stals of In2S3, thin films and surface-barrier structures based on them | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The aims of the work are: synthesis and growth of qualitative and optically ho-mogeneous ln2S3 single crystals of two structural modifications; obtaining of thin films based on grown crystals; analysis of their optical, electric, thermal properties; creation of the surface-barrier structures based on the single crystals and thin films of ln2S3 and study of their photovoltaic properties | - |
| Appears in Collections: | 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
|
