Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5421
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПолубок, В. А.-
dc.contributor.authorPolubok, U. А.-
dc.date.accessioned2016-01-12T08:32:07Z-
dc.date.accessioned2017-07-20T07:51:36Z-
dc.date.available2016-01-12T08:32:07Z-
dc.date.available2017-07-20T07:51:36Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationПолубок, В. А. Формирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основе: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / В. А. Полубок; науч. рук. И. В. Боднарь. - Минск : БГУИР, 2008. - 20 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5421-
dc.description.abstractЦель работы заключается в выращивании оптически однородных монокристаллов ln2S3, двух структурных модификаций и получении на их основе пленок: установлении закономерностей изменения физико-химических, оптических, электрических и теплофизических свойств монокристаллов и пленок указанного соединения; создании поверхностно-барьерных структур и исследовании их фотоэлектрических свойств. The aims of the work are: synthesis and growth of qualitative and optically ho-mogeneous ln2S3 single crystals of two structural modifications; obtaining of thin films based on grown crystals; analysis of their optical, electric, thermal properties; creation of the surface-barrier structures based on the single crystals and thin films of ln2S3 and study of their photovoltaic propertiesru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectмонокристаллыru_RU
dc.subjectтепловое расширениеru_RU
dc.subjectтемпература Дебаяru_RU
dc.subjectsingle crystalsru_RU
dc.subjectthermal expansionru_RU
dc.subjectthe characteristic Debye temperatureru_RU
dc.titleФормирование монокристаллов In2S3, тонких пленок и поверхностно-барьерных структур на их основеru_RU
dc.title.alternativeFormation of the single cry stals of In2S3, thin films and surface-barrier structures based on themru_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
Appears in Collections:05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
k_avt_P.pdf1,24 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.