| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Достанко, А. П. | - |
| dc.contributor.author | Мадвейко, С. И. | - |
| dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Мельников, С. Н. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-04-23T07:35:47Z | - |
| dc.date.available | 2024-04-23T07:35:47Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Ионно-плазменные системы в технологии тонких пленок = Plasma systems in Thin Film technology / А. П. Достанко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 2. – С. 20–31. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/55521 | - |
| dc.description.abstract | В статье изложены современные тенденции развития ионно-плазменных систем для ионной обработки и нанесения тонких пленок. Рассмотрены применение импульсного реактивного магнетронного распыления для формирования пленок оксида ванадия и зависимость параметров процесса от частотных характеристик электропитания, особенности и применение процесса прямого осаждения из ионного пучка для формирования ориентирующих покрытий из SiO2, СН, СN, CНF для жидкокристаллических дисплеев, износостойких покрытий из алмазоподобного углерода (α-С) и нитрида углерода (СNх). Показаны преимущества непрерывного режима электропитания сверхвысокочастотного магнетрона по сравнению с импульсным. Приведена математическая модель расчета магнетронных распылительных систем и процессов магнетронного распыления, представлены основные возможности разработанного программного комплекса Deposition. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | ионно-плазменные системы | en_US |
| dc.subject | магнетронное распыление | en_US |
| dc.subject | ионно-лучевые источники | en_US |
| dc.subject | тонкие пленки | en_US |
| dc.title | Ионно-плазменные системы в технологии тонких пленок | en_US |
| dc.title.alternative | Plasma systems in Thin Film technology | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi. org/10.35596/1729-7648-2024-22-2-20-31 | - |
| local.description.annotation | The article discusses the current trends in the development of ion-plasma systems for ion processing and thin film deposition. Application of pulsed reactive magnetron sputtering for deposition of vanadium oxide films and dependence of process parameters on power supply frequency characteristics, peculiarities and application of direct ion-beam deposition for formation of coatings based on SiO2 for optical coatings, SiO2, CH, CN, CHF for orientation coatings of LCD displays, wear-resistant coatings of diamond-like carbon (α-C) and carbon nitride (CNx) are considered. The advantages of continuous microwave magnetron power over pulsed mode are shown. The mathematical model for calculating magnetron sputtering systems, processes of magnetron sputtering and the main capabilities of the developed software complex Deposition are shown. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 22, № 2
|
