Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56426
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.-
dc.contributor.authorСергейчик, А. А.-
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2024-07-09T07:10:44Z-
dc.date.available2024-07-09T07:10:44Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationВлияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем = Impact Produced by Recrystallization of Mechanically Destroyed Layer on Planar Side of Silicon Wafer Upon Electrical Parameters of CMOS Microcircuits / В. А. Пилипенко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 3. – С. 21–27.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56426-
dc.description.abstractУстановлено влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя на рабочей стороне пластины кремния с применением быстрой термической обработки (1000 °С, 20 с) на электрические параметры комплементарных металл-окисел-полупроводниковых микросхем. В качестве анализируемых характеристик n- и p -канальных транзисторов были выбраны: ток стока от напряжения на затворе при диодном включении; выходные характеристики при различных напряжениях на затворе; ток стока от напряжения на стоке без подачи потенциала на затвор; процент выхода годных изделий. Сравнение данных параметров проводили с микросхемами, изготовленными по стандартной технологии. Анализ результатов показал, что быстрая термическая обработка исходных кремниевых пластин позволяет значительно улучшить вышеуказанные характеристики n-канальных металл-окисел-полупроводниковых (n-МОП) и р-канальных металл-окисел-полупроводниковых (р -МОП) транзисторов за счет снижения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, полученном пирогенным окислением кремния. Это дает возможность повысить качество выпускаемых комплементарных металл-окисел-полупроводниковых микросхем и увеличить процент выхода годных изделий с 74,38 до 77,53 %.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectдоклады БГУИРen_US
dc.subjectмикросхемыen_US
dc.subjectтранзисторыen_US
dc.subjectподзатворные диэлектрикиen_US
dc.titleВлияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхемen_US
dc.title.alternativeImpact Produced by Recrystallization of Mechanically Destroyed Layer on Planar Side of Silicon Wafer Upon Electrical Parameters of CMOS Microcircuitsen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIhttp://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-21-27-
local.description.annotationThe influence of recrystallization of a mechanically damaged layer on the working side of a silicon wafer using rapid heat treatment (1000 °C, 20 s) on the electrical parameters of complementary metal-oxide-semiconductor microcircuits has been established. The analyzed characteristics of n- and p-channel transistors were selected: drain current from the gate voltage when diode-connected; output characteristics at various gate voltages; drain current from the drain voltage without applying potential to the gate; percentage of yield of suitable products. These parameters were compared with microcircuits manufactured using standard technology. Analysis of the results showed that rapid thermal treatment of the original silicon wafers can significantly improve the above characteristics of n-channel metal-oxide-semiconductor (n-MOS) and p-channel metal-oxide-semiconductor (p-MOS) transistors by reducing the fixed charge in gate dielectric obtained by pyrogenic oxidation of silicon. This makes it possible to improve the quality of manufactured complementary metal-oxide-semiconductor microcircuits and increase the percentage of yield of suitable products from 74.38 to 77.53 %.en_US
Appears in Collections:Том 22, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pilipenko_Vliyanie.pdf5.4 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.