| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Тхань, Н. Ч. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-08-02T09:07:34Z | - |
| dc.date.available | 2024-08-02T09:07:34Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Тхань, Н. Ч. Приборно-технологическое моделирование РТ-БТИЗ, сформированного на объёмном кремнии / Н. Ч. Тхань, И. Ю. Ловшенко // 60-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» : материалы конференции, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 66–70. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56828 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты моделирования конструктивно-технологических параметров приборных структур асимметричного биполярного транзистора с изолированным затвором (РТ-БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | биполярные транзисторы | en_US |
| dc.subject | конструктивно-технологические параметры | en_US |
| dc.subject | приборно-технологическое моделирование | en_US |
| dc.title | Приборно-технологическое моделирование РТ-БТИЗ, сформированного на объёмном кремнии | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | 60-я научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР (2024)
|
