| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Демидович, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Юник, А. Д. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-08-22T06:26:08Z | - |
| dc.date.available | 2024-08-22T06:26:08Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Демидович, С. А. Особенности нанесения пленок SiNx методом ICP CVD в области повышенного давления = Features of application of SiNx films by ICP CVD method in the area of high pressure / С. А. Демидович, А. Д. Юник // Электронные системы и технологии : сборник материалов 60-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 254–257. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56978 | - |
| dc.description.abstract | Экспериментально исследован процесс нанесения диэлектрических пленок
нитрида кремния методом плазмохимического осаждения из газовой фазы в индуктивно -
связанной плазме (ICP CVD) в области повышенного давления. Установлено, что
значительное повышение рабочего давления в камере приводит к появлению на
поверхности подложек дефектов в виде матовых образований (пятен). Наиболее
вероятной причиной их появления является недостаточная скорость десорбции продуктов
реакции с поверхности подложки. Основными факторами, препятствующими появлению
данных образований, являются увеличение температуры подложки и мощности ICP.
Получены режимы осаждения пленки SiNx в области повышенных рабочих давлений без
появления матовых дефектов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | пленки SiNx | en_US |
| dc.subject | диэлектрические пленки | en_US |
| dc.subject | индуктивно-связанная плазма | en_US |
| dc.title | Особенности нанесения пленок SiNx методом ICP CVD в области повышенного давления | en_US |
| dc.title.alternative | Features of application of SiNx films by ICP CVD method in the area of high pressure | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The process of deposition of dielectric films of silicon nitride by plasma-chemical
vapor deposition in inductively coupled plasma (ICP CVD) in the high-pressure region was
experimentally studied. It has been established that a significant increase in the operating
pressure in the chamber leads to the appearance of defects in the form of matte formations (spots)
on the surface of the substrates. The most likely reason for their appearance is the insufficient
rate of desorption of reaction products from the surface of the substrate. The main factors
preventing the appearance of these formations are an increase in the substrate temperature and
ICP power. Regimes of SiNx film deposition in the region of elevated operating pressures
without the appearance of matte defects were obtained. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 60-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2024)
|
