| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Крылов, С. М. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-08-27T11:07:58Z | - |
| dc.date.available | 2024-08-27T11:07:58Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Крылов, С. М. Ориентирующее действие подложки на структуру пленок WSi2 на монокристаллическом кремнии = Orienting effect of substrate on the structure of wolfram disilicide film on single-crystal silicon / С. М. Крылов // Электронные системы и технологии : сборник материалов 60-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 365–368. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57082 | - |
| dc.description.abstract | Определены условия формирования на кремнии поликристаллических
пленок при ионно-плазменном распылении мишеней WSi2. Установлен характер
фазообразования и рекристаллизации в пленках WSi2 при отжиге. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | тонкопленочные структуры | en_US |
| dc.subject | силициды | en_US |
| dc.subject | рекристаллизация | en_US |
| dc.title | Ориентирующее действие подложки на структуру пленок WSi2 на монокристаллическом кремнии | en_US |
| dc.title.alternative | Orienting effect of substrate on the structure of wolfram disilicide film on single-crystal silicon | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Silicides of transition and refractory metals are of great research interest in
microelectronics. This is explained by the prospect of their application as materials for the
creation of highly reliable metallization systems for semiconductor devices and integrated
circuits. Films of the above compounds have high electrical conductivity compared to films of
polycrystalline silicon, good barrier properties against mutual diffusion, are resistant to thermal
treatment and aggressive media used in microelectronics. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 60-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2024)
|
