| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Крылов, С. М. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-08-27T11:12:53Z | - |
| dc.date.available | 2024-08-27T11:12:53Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Крылов, С. М. Силициды тугоплавких металлов для тонкопленочных барьерных структур = Refractory metal silicides for thin-film barrier structures / С. М. Крылов // Электронные системы и технологии : сборник материалов 60-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 278–279. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57083 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы процессы образования контактных слоёв на кремнии
бинарными сплавами никеля и ванадия. Установлены температуры образования
силицидов при разных соотношениях металлов. Проведено сравнение контактных слоёв
на основе системы никель-кремний и никель-ванадий-кремний. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | силициды | en_US |
| dc.subject | тонкопленочные структуры | en_US |
| dc.subject | высокотемпературный отжиг | en_US |
| dc.subject | фазообразование | en_US |
| dc.title | Силициды тугоплавких металлов для тонкопленочных барьерных структур | en_US |
| dc.title.alternative | Refractory metal silicides for thin-film barrier structures | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Due to the main trend in microelectronics-reduction in the size of integrated circuit
elements, more and more stringent requirements are imposed on the layers in the metallization
system. Thus, at the general reduction in the thickness of the diffusion-barrier layer, its functional
efficiency must be preserved. Thermal problems and the resulting cooling tasks are becoming
more and more important. And a particularly important factor is the prevention of diffusion.
Therefore, the search for new compounds for contact and diffusion-barrier layers and the study
of their properties is an important task for the development of integrated circuits (ICs) in
microelectronics. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 60-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2024)
|
