| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Колосницын, Б. С. | - |
| dc.contributor.author | Манкевич, И. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-08-04T09:27:19Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.available | 2014-08-04T09:27:19Z | |
| dc.date.available | 2017-07-19T09:38:53Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Колосницын, Б. С. Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 87-88 | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/570 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых приборов. Применение ESD устройств позволяет моделировать физические процесыы термоактивационного пробоя биополярных и МОП структур. При этом, благодаря размещению ESD устройства на чипе с изучаемым прибором, появляется возможность задавать максимальные величины напряжений испытания без эффектов образования токовых шнуров. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | токовые шнуры | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | испытание ESD устройств | ru_RU |
| dc.title | Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
