Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57411
Title: Особенности структурно-фазовых превращений в слоях сплава Ni–Pt–V на кремнии при быстрой термической обработке
Other Titles: Features of Structural and Phase Transformations in Layers of Ni–Pt–V Alloy on Silicon During Rapid Heat Treatment
Authors: Соловьёв, Я. А.
Гайдук, П. И.
Keywords: доклады БГУИР;силициды;электронная микроскопия;структурно-фазовые превращения
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Соловьёв, Я. А. Особенности структурно-фазовых превращений в слоях сплава Ni–Pt–V на кремнии при быстрой термической обработке = Features of Structural and Phase Transformations in Layers of Ni–Pt–V Alloy on Silicon During Rapid Heat Treatment / Я. А. Соловьёв, П. И. Гайдук // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 4. – С. 5–13.
Abstract: Методами резерфордовского обратного рассеяния, рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции установлены особенности структурно-фазовых превращений в слоях сплава Ni–Pt–V толщиной 30 нм на поверхности монокристаллического n-Si(111) при быстрой термической обработке некогерентным световым потоком постоянной мощности от кварцевых галогенных ламп, направленным на обратную сторону подложки, длительностью 7 с до достижения температуры от 350 до 500 °С. Показано, что в данных условиях термообработки происходит формирование слоев NiхSiy, характеризующихся различной степенью упорядоченности (эпитаксиальности). Установлено, что быстрая термообработка при температуре 350 °С сопровождается перераспределением атомов никеля и кремния до состава ∼Ni3Si на границе раздела пленка-подложка с уменьшением доли Si к поверхности с формированием доменов гексагональной (P321) фазы силицида β-Ni31Si12 эпитаксиальных подложек. Быстрая термообработка при температуре от 400 до 500 °С приводит к дальнейшему диффузионному перераспределению реагирующих компонентов до композиционного состава ∼Ni50Si50 и формированию орторомбической (Pnma) фазы силицида NiSi, имеющего трансротационную степень эпитаксиальности. При этом упорядоченный рост силицида NiSi происходит на эпитаксиальных доменах β-Ni31Si12, сохраняющихся на границе раздела силицид-подложка вплоть до температуры 500 °С.
Alternative abstract: Using the methods of Rutherford backscattering, X-ray phase analysis, transmission electron microscopy and diffraction, the features of structural and phase transformations in layers of Ni–Pt–V alloy with a thickness of 30 nm on the surface of monocrystalline n-Si(111) under rapid heat treatment with incoherent constant-power light flux from quartz halogen lamps directed to the reverse side of the substrate for a duration of 7 s until a temperature of 350 to 500 °С is reached have been established. It is shown that under these conditions of heat treat ment, the formation of NixSiy layers occurs, characterized by varying degrees of ordering (epitaxy). It was found that rapid heat treatment at a temperature of 350 °С is accompanied by a redistribution of nickel and silicon atoms to the composition ∼Ni3Si at the film-substrate interface with a decrease in the proportion of Si towards the surface with the formation of domains of the hexagonal (P321) phase of the β-Ni31Si12 silicide epitaxial to the substrate. Rapid heat treatment at temperature from 400 to 500 °С leads to a further diffusion redistribution of the reacting components to a composite composition of ∼Ni50Si50 and the formation of an orthorhombic (Pnma) phase of NiSi silicide having a transrotational degree of epitaxy. In this case, the ordered growth of NiSi silicide occurs on the epitaxial domains of β-Ni31Si12, which persist at the interface between the silicide and the substrate up to a temperature of 500 °С.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57411
DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-4-5-13
Appears in Collections:Том 22, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solov'ev_Osobennosti.pdf1.5 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.